ഗുണമേന്മയുള്ള നിര ഏറ്റവും താൽ‌പ്പര്യമുള്ളതും ഗുരുതരമായ പുതിയ ഉപഭോക്താവിന്റെ ആശങ്കയുമാണ്!
പ്രധാനപ്പെട്ട സാങ്കേതിക പാരാമീറ്ററുകൾക്കുള്ള പ്രധാന വിശദീകരണം ഇനിപ്പറയുന്നവയാണ്:
ഇൻസുലേഷൻ ചെറുത്തുനിൽപ്പ് അല്ലെങ്കിൽ പേര് സൂചിപ്പിക്കുന്നത് പോലെ IR ആണ് പ്രതിരോധം
ഇൻസുലേഷൻ. ഷോർട്ട് സർക്യൂട്ടിൽ നിന്ന് വൈദ്യുത ഉപകരണങ്ങളെ ഐആർ യഥാർത്ഥത്തിൽ സംരക്ഷിക്കുന്നു. IR മൂല്യങ്ങൾ
മെഗാ ഓം അല്ലെങ്കിൽ മൊഹ്മിന്റെ പരിധിയിൽ സാധാരണയായി വളരെ ഉയർന്നതാണ്.
താപനില ഗുണക ഡീലക്‌ട്രിക് ക്ലാസ് 1 അല്ലെങ്കിൽ ക്ലാസ് 2 ആണോ എന്നതിനെ ആശ്രയിച്ചിരിക്കുന്നു. ഒരു സെറാമിക്
കപ്പാസിറ്ററിന് (പ്രത്യേകിച്ച് ക്ലാസ് 2) പലപ്പോഴും ഉയർന്ന വിസർജ്ജന ഘടകമുണ്ട്, ഉയർന്ന ആവൃത്തിയിലുള്ള ഗുണകം.
വിതരണ ഘടകം (ടാൻ):അല്ലെങ്കിൽ DF നെ ESR ന്റെ അനുപാതവും കപ്പാസിറ്റീവ് പ്രതിപ്രവർത്തനവുമാണ് നിർവചിച്ചിരിക്കുന്നത്. അത്
ഡിസ്പിപേഷൻ ഫാക്ടർ ലോസ് ആംഗിളിന്റെ ടാൻജെന്റ് എന്നും അറിയപ്പെടുന്നു, ഇത് സാധാരണയായി ശതമാനത്തിൽ പ്രകടമാണ്.
അംഗീകൃത മാനദണ്ഡങ്ങൾ അലുമിനിയത്തിന് 120Hz സാധാരണ നിർദ്ദിഷ്ട ആവൃത്തികളിൽ വ്യാപിക്കുന്ന ഘടകം പ്രകടിപ്പിക്കുന്നു
ഇലക്ട്രോലൈറ്റിക്, ടന്റാലം കപ്പാസിറ്ററുകൾ ഫിലിം കപ്പാസിറ്ററുകൾക്ക് 1 kHz ഉം സെറാമിക് കപ്പാസിറ്ററുകൾക്ക് 1 MHz ഉം ആണ്.
ഭാഗിക ഡിസ്ചാർജ് (പിഡി): ഇൻസുലേഷന്റെ ഒരു ചെറിയ ഭാഗം പാലിക്കുന്ന ഒരു വൈദ്യുത ഡിസ്ചാർജ് അല്ലെങ്കിൽ തീപ്പൊരി
രണ്ട് ചാലക ഇലക്ട്രോഡുകൾക്കിടയിൽ. വൈദ്യുത മണ്ഡലം ഇൻസുലേഷൻ സിസ്റ്റത്തിലെ ഏത് ഘട്ടത്തിലും പിഡി സംഭവിക്കാം
ഇൻസുലേറ്റിംഗ് മെറ്റീരിയലിന്റെ ആ ഭാഗത്തിന്റെ തകർച്ച ശക്തിയെ കവിയുന്നു. പിഡി ഉള്ളിലെ ശൂന്യതയിൽ സംഭവിക്കാം
ഖര ഇൻസുലേഷൻ, വാതക കുമിളകൾക്കുള്ളിൽ മലിനീകരണം അല്ലെങ്കിൽ ക്രമക്കേടുകൾ കാരണം ഇൻസുലേറ്റിംഗ് വസ്തുക്കളുടെ ഉപരിതലത്തിലുടനീളം
ദ്രാവക ഇൻസുലേഷനിൽ അല്ലെങ്കിൽ വാതകത്തിലെ ഒരു ഇലക്ട്രോഡിന് ചുറ്റും (കൊറോണ പ്രവർത്തനം).
ഡൈലെക്ട്രിക് മെറ്റീരിയൽ:
|
കത്ത് (കുറഞ്ഞ താൽക്കാലികം) |
അക്ക (ഉയർന്ന താൽക്കാലികം) |
കത്ത് (മാറ്റം) |
|
X = −55 ° C (−67 ° F) |
2 = +45 ° C (+113 ° F) |
E = ± 4.7% |
|
Y = −30 ° C (−22 ° F) |
4 = +65 ° C (+149 ° F) |
F = ± 7.5% |
|
Z = +10 ° C (+50 ° F) |
5 = +85 ° C (+185 ° F) |
പി = ± 10% |
|
|
6 = + 105 ° C (+221 ° F) |
R = ± 15% |
|
|
7 = + 125 ° C (+257 ° F) |
എസ് = ± 22% |
|
|
8 = + 150 ° C (+302 ° F) |
ടി = +22 മുതൽ −33% വരെ |
|
|
|
യു = +22 മുതൽ −56% വരെ |
|
|
|
വി = +22 മുതൽ −82% വരെ |
ഉദാഹരണത്തിന്, ഒരു Z5U കപ്പാസിറ്റർ +10 ° C മുതൽ +85 ° C വരെ പ്രവർത്തിക്കും, കപ്പാസിറ്റൻസ് പരമാവധി + 22% മുതൽ −56% വരെയാണ്. ഒരു എക്സ് 7 ആർ കപ്പാസിറ്റർ −55 ° C മുതൽ +125 to C വരെ പ്രവർത്തിക്കും, കപ്പാസിറ്റൻസ് മാറ്റം പരമാവധി ± 15%
എച്ച്വിസിയുടെ N4700 ഡൈലെക്ട്രിക് മെറ്റീരിയൽ: മറ്റ് കമ്പനികൾക്ക് സമാനമായി, ഇലക്ട്രോസെറാമിക്സ് പ്രധാന സവിശേഷത നിർണ്ണയിക്കുന്നു
തൊപ്പികളുടെ. പേറ്റന്റഡ് സ്ട്രോൺഷ്യം ടൈറ്റാനേറ്റ് കണ്ടുപിടിക്കാൻ എച്ച്വിസി 3 വർഷവും ദശലക്ഷക്കണക്കിന് ഡോളറും ചെലവഴിക്കുന്നു, ഇത് N4700 തരം. ഇത്
N4700 മെറ്റീരിയൽ വളരെ മികച്ച ഉയർന്ന ആവൃത്തി സവിശേഷത, മികച്ച വലിയ ഇൻസുലേഷൻ പ്രതിരോധം, ചെറിയ വിസർജ്ജനം എന്നിവ നൽകുന്നു
ഘടകം, 20 വർഷം വരെയുള്ള ദീർഘായുസ്സ്.
സാങ്കേതിക സവിശേഷത താരതമ്യം:
എച്ച്വിസിയുടെ ഇനം ആഴത്തിൽ ഉപഭോക്താക്കളെ അറിയിക്കുന്നതിന്, നിലവിലുള്ള വ്യത്യസ്തങ്ങളുമായി താരതമ്യം ചെയ്യുമ്പോൾ എച്ച്വിസിയുടെ സാങ്കേതിക സവിശേഷത ഞങ്ങൾ കാണിക്കുന്നു
യൂറോപ്പിൽ നിന്നും നോർത്ത് അമേർസിയയിൽ നിന്നുമുള്ള ബ്രാൻഡ്.
അമേർ‌സിയൻ ബ്രാൻഡ് ഇ *****
സെറാമിക് ഡിസ്ക് ക്യാപ്സ് മാത്രം വാഗ്ദാനം ചെയ്യുക, എച്ച്വിസിയുടെ ഡീലക്‌ട്രിക് മെറ്റീരിയൽ എക്സ് 5 എഫിന് സമാനമായി വാഗ്ദാനം ചെയ്യുക.
X5F നുള്ള ഡിസിപേഷൻ ഫാക്ടർ 1.5% ആണ്;
എച്ച്വിസിയുടെ എക്സ് 5 എഫ് ഘടകം ഡിസിപേഷൻ ഫാക്ടർ മൂല്യം 1% ആകാം.
30Kv, 2200pf കാറ്റലോഗിലെ മാക്സിമൺ വോൾട്ടേജ് ഷോ;
കാറ്റലോഗിലെ എച്ച്വിസിയുടെ ഷോ (പതിവ് ഉത്പാദനം) 50 കെവി, 3300 പിഎഫ്.
ഫ്ലാഷ് ടെസ്റ്റിംഗ് റേറ്റുചെയ്ത വോൾട്ടേജിന്റെ 130%, 30Kv പോലെ, ഫ്ലാഷ് ടെസ്റ്റ് 40KvDc ആയിരിക്കും.
എച്ച്വിസിയുടെ ഡീലക്‌ട്രിക് ദൃ strength ത 150% മുതൽ 200% വരെയാകാം, അതായത് റേറ്റുചെയ്ത വോൾട്ടേജ് 30 കെവി ആണെന്ന് പറയുമ്പോൾ ഫ്ലാഷ് ടെസ്റ്റിംഗിനെ നേരിടാൻ കഴിയും
45Kv മുതൽ 60KvDc വരെ.
താപനില സവിശേഷതകൾ: (NP0 മുതൽ Z5U വരെ)
എച്ച്വിസിയുടെ മിതശീതോഷ്ണ സ്വഭാവം :(N4700, Y5T, Y5U)
യൂറോപ്യൻ ബ്രാൻഡ് ജി ******:
ഡോർ‌ക്നോബ് കപ്പാസിറ്റർ മാത്രം വാഗ്ദാനം ചെയ്യുക.
10Kv പരമാവധി കപ്പാസിറ്റൻസ് 8000pf, എച്ച്വിസി ഒരേ 8000pf, അതേ N4700 തരം മെറ്റീരിയൽ;
20kv പരമാവധി കപ്പാസിറ്റൻസ് 4000pf, HVC 10000pf ആകാം;
30kv പരമാവധി കപ്പാസിറ്റൻസ് 2700pf, HVC 3300pf ആകാം;
40kv പരമാവധി കപ്പാസിറ്റൻസ് 2000pf, എച്ച്വിസി സമാന 2000pf;
50kv പരമാവധി കപ്പാസിറ്റൻസ് 1700pf, എച്ച്വിസി 15000pf (Y5V), 5000pf (Y5T) എന്നിവ ആകാം.
ജി ******:N4700 മെറ്റീരിയൽ ഉപയോഗിക്കുക, ഡിസിപേഷൻ ഫാക്ടർ 0.3% പരമാവധി ആയിരിക്കണം, അതേസമയം HVC എല്ലായ്പ്പോഴും 0.1% ന് മുകളിലായിരിക്കും, ഒരിക്കലും ഉയർന്നതല്ല
0.2% നേക്കാൾ
ജി ******:ഇൻസുലേഷൻ പ്രതിരോധം 10,000mOhm (N4700) മിനിറ്റ്, എച്ച്വിസി മിക്കപ്പോഴും 200,000mOhm (N4700) മിനിറ്റ് ആകാം.
അമേരിക്കൻ ജനപ്രിയ ബ്രാൻഡ് എച്ച് **:
നോർത്ത് അമേർ‌സിയൻ മാർ‌ക്കറ്റിൽ വന്യമായി ഉപയോഗിക്കുന്ന ഡോർ നോബ് കപ്പാസിറ്റർ മാത്രം വാഗ്ദാനം ചെയ്യുക.
ഡീലക്‌ട്രിക് മെറ്റീരിയൽ അറിയില്ല, വിസർജ്ജന ഘടക മൂല്യം പരമാവധി 0.5% ആയിരിക്കണം, അതേസമയം എച്ച്വിസി പ്രധാനമായും N4700 ഡീലക്‌ട്രിക് ഉപയോഗിക്കുന്നു
മെറ്റീരിയൽ, വിസർജ്ജന ഘടകം 0.1% മുതൽ 0.2% വരെ മാത്രമായിരിക്കും, മിക്കപ്പോഴും 0.1% മാത്രം.
നോർത്ത് അമേരിക്കൻ പ്രശസ്ത ബ്രാൻഡ് എച്ച് **:
വടക്കേ അമേരിക്ക, റഷ്യ, ജപ്പാൻ എന്നിവിടങ്ങളിൽ വ്യാപകമായി വിൽക്കുന്നു. സെറാമിക് ഡിസ്ക്
കപ്പാസിറ്റർ, ഡോർ നോബ് കപ്പാസിറ്റർ.
സെറാമിക് ഡിസ്ക് ക്യാപ്പുകൾക്ക്, Y5P, Y5U ഡൈലെട്രിക് മെറ്റീരിയൽ മാത്രം ലഭ്യമാണ്, അവ അത്ര നല്ല താപനില കോഫിഫിഷ്യന്റ് നൽകില്ല, അതേസമയം
സെറാമിക് ഡിസ്ക് ക്യാപ്സിനായി എച്ച്വിസി N4700 വാഗ്ദാനം ചെയ്യുന്നു.
ഏറ്റവും ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് കപ്പാസിറ്റൻസ് ലഭ്യത, എച്ച് *** ഷോ 20Kv 4700pf (Y5U), എച്ച്വിസി 50KV 3300pf (Y5T) വാഗ്ദാനം ചെയ്യുന്നു.
ഇൻസുലേഷൻ റെസിസ്റ്റൻസ് min 1000mOhm ആണ്, എച്ച്വിസിയുടെ IR 10 000mOhm ആകാം
വിതരണ ഘടകം 5% പരമാവധി (Y5P), എച്ച്വിസിയുടെ പരമാവധി DF 2% (Y5U, Y5V)
യൂറോപ്യൻ ബ്രാൻഡ് എം *****:
ലോകപ്രശസ്ത കമ്പനി, വ്യത്യസ്ത ശ്രേണിയിൽ ഡോർ നോബ് കപ്പാസിറ്റർ, Y5U- ലെ ഡീലട്രിക് മെറ്റീരിയൽ എന്നിവ വാഗ്ദാനം ചെയ്യുക
N4700 ലെവൽ. ഭാഗിക ഡിസ്ചാർജ് മൂല്യത്തെ സംബന്ധിച്ചിടത്തോളം ഈ വലിയ പേരിന്റെ ഉൽപ്പന്നം, റേറ്റുചെയ്യുമ്പോൾ അവയുടെ ഇനം വളരെ കുറവാണ്
എസി വോൾട്ടേജ്, എച്ച്വിസി കുറഞ്ഞ പിസിയുടെ അതേ നിലവാര നില വാഗ്ദാനം ചെയ്യുന്നു.
ഭാഗിക ഡിസ്ചാർജ് മൂല്യം <5pC @ AC റേറ്റുചെയ്ത വോൾട്ടേജ്. അതേസമയം എച്ച്വിസി സമാന അവസ്ഥയിൽ <5pC ആകാം.
ഇൻസുലേഷൻ റെസിസ്റ്റൻസുള്ള N4700 മെറ്റീരിയൽ> = 1011ഓം, എച്ച്വിസിയുടെ സ്വന്തം N4700 മെറ്റീരിയൽ ഇരട്ടിയാണെങ്കിൽ, മിനിറ്റ് 2x1011ഓം
ജാപ്പനീസ് ലോക പ്രശസ്ത ബ്രാൻഡ് ടി **:
ഈ നിർമ്മാതാവ് ലോകോത്തര നിഷ്ക്രിയ ഘടക നിർമ്മാതാവാണ്, തികച്ചും വ്യത്യസ്തമായ ഉൽ‌പാദനമാണ്
ലോകത്തിലെ പ്ലാന്റ്, അവർ വാതിൽ മുട്ട് കപ്പാസിറ്റർ നിർമ്മിക്കുകയും സ്വന്തമായി സെറാമിക് മെറ്റീരിയൽ കണ്ടുപിടിക്കുകയും ചെയ്യുന്നു. ഡൈലെട്രിക് മെറ്റീരിയൽ
Z5T, Y5P, Y5S എന്നിവ ആകട്ടെ, ഇവയെല്ലാം സോസോ ടെമ്പറേച്ചർ കോഫിഫിഷ്യന്റ്സ് മാത്രമാണ്, അവയ്ക്ക് N4700 മെറ്റീരിയൽ ലെവൽ ഇല്ല, അത്
ഉയർന്ന ആവൃത്തിയും ഉയർന്ന വൈദ്യുതോർജ്ജ പ്രവർത്തനവും വാഗ്ദാനം ചെയ്യുക. ഇതിലും കൂടുതൽ Y5S എന്നത് PB രഹിതമല്ലാത്ത ഒരു തരം മെറ്റീരിയലാണ്.
എന്നാൽ ROHHS ന് അനുസൃതമായി പ്രവർത്തിക്കുക “ഇ.യു നിർദ്ദേശം 2002 / 95 / EC, ലെഡ്, കാഡ്മിയം, മെർക്കുറി, ഹെക്സാവാലന്റ് ക്രോമിയം, നിർദ്ദിഷ്ട
ബ്രോമിൻ അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ള ഫ്ലേം റിട്ടാർഡന്റുകൾ, പിബിബി, പിബിഡിഇ,ഒഴിവാക്കിയ അപ്ലിക്കേഷനുകൾ ഒഴികെ ഉപയോഗിച്ചിട്ടില്ല”ഉയർന്നതിന്
വോൾട്ടേജ് ആപ്ലിക്കേഷൻ, ലീഡ് ഫ്രീ ആയിരിക്കണമെന്നില്ല.പക്ഷെ ലീഡ് ഫ്രീ ഇനത്തിന് ചില ഗുരുതരമായ ക്ലയന്റുകൾ ഉൾക്കൊള്ളാൻ കഴിയില്ല. ഏറ്റവും വലുത്
വോൾട്ടേജ് കപ്പാസിറ്റൻസ് നിരക്ക് 50kv 2100pf മാത്രം, പക്ഷേ 20kvAC 1080p കാണാൻ കഴിയും, ഈ 20kvAC ഏകദേശം 80kvDC ന് തുല്യമായിരിക്കും.
എച്ച്‌വി‌സിക്ക് ഇപ്പോൾ 150 കെ‌വി‌ഡി‌സി (50 കെ‌വി‌എസി), 800 പിഎഫ് ഇനം നിർമ്മിക്കാൻ കഴിയുമെങ്കിലും, എച്ച്‌വി‌സിക്ക് ഉയർന്ന ഉൽ‌പാദനത്തിനായി ഉയർന്ന ഉൽ‌പാദന ശേഷി ഉണ്ട്.
ഇൻസുലേഷൻ പ്രതിരോധം 100,000mOhm മിനിറ്റ്, എച്ച്വിസിയുടെ പരമാവധി IR ഇരട്ട, 200,000mOhm ൽ മിനിറ്റ്.
എച്ച്വിസിക്കും മറ്റുള്ളവർക്കുമായുള്ള വില താരതമ്യം:
മുകളിൽ നിന്ന് ഞങ്ങൾക്കറിയാം എച്ച്വിസിയുടെ ഗുണനിലവാര നിലവാരം വളരെ ഉയർന്നതാണെന്ന്, ലോകപ്രശസ്ത ബ്രാൻഡിന്റെ അതേ നിലവാരത്തിലുള്ളവരാണ് ഞങ്ങൾ
വിശെയ്, ടിഡികെ, മുറാറ്റ, മോർഗൻ തുടങ്ങിയവ… പൊതുവേ 20% മുതൽ 30% വരെ കുറഞ്ഞ ചിലവിൽ ഞങ്ങൾക്ക് ഉറപ്പുണ്ട്.
എച്ച്വിസിക്കും മറ്റുള്ളവർക്കുമായുള്ള ലീഡ് ടൈം താരതമ്യം:
എച്ച്വിസിയുടെ സ്റ്റാൻ‌ഡേർഡ് പ്രൊഡക്ഷൻ ലീഡ് സമയം ഡോർ നോബ് കപ്പാസിറ്ററിനുള്ള സമയം 60 ദിവസം (8 ആഴ്ച) ആയിരിക്കും, സാധാരണയായി മികച്ച ബ്രാൻഡുകൾ ആവശ്യമാണ്
14 ആഴ്ച.
എച്ച്വിസിക്കും മറ്റുള്ളവർക്കും വഴക്കമുള്ള താരതമ്യം:
എച്ച്വിസിയുടെ കപ്പാസിറ്റർ ജി‌ഐ‌എസ് (ഗ്യാസ് ഇൻസുലേറ്റഡ് സ്വിച്ച് ഗിയർ) ഉപഭോക്താവിനെപ്പോലെ വഴക്കമുള്ള തരം ഘടകങ്ങളും വാഗ്ദാനം ചെയ്യുന്നു
സാധാരണയായി ഉയർന്ന തൊപ്പിയുടെ ചെറിയ വലിപ്പം ആവശ്യമാണ്, കർശനമായ ആവശ്യകത നിറവേറ്റുന്നതിന് ഞങ്ങൾ ഓഫർനോൺ-എൻ‌ക്യാപ്‌സുലേഷൻ ക്യാപ്പ്. ആയിരിക്കുമ്പോൾ
ഞങ്ങളെപ്പോലെ വഴങ്ങാത്ത മറ്റ് നിർമ്മാതാക്കൾ, അല്ലെങ്കിൽ വളരെ വലിയ MOQ ആവശ്യപ്പെടുക.
